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TESLA200
    发布时间: 2019-07-23 11:05    

TESLA200是一款专为IGBT/Power MOSFET (GaN, SiC, Si)器件在晶圆级测量而设计的新型晶圆功率半导体探测系统。支持高达3 kV(三轴)/ 10 kV(同轴)和200 A(标准)/ 600 A(高电流)的精确测量。

    TESLA200是一款专为IGBT/Power MOSFET (GaN, SiC, Si)器件在晶圆级测量而设计的新型晶圆功率半导体探测系统。支持高达3 kV(三轴)/ 10 kV(同轴)和200 A(标准)/ 600 A(高电流)的精确测量。具有抗电弧解决方案,支持工程探针和量产探针卡。TESLA200具有-55°C到300°C全温范围测量能力,配置大功率镀金卡盘,以确保低接触电阻,薄片处理和功率耗散。安全和方便地集成了主流厂家的半导体功率参数分析仪,同时提供低噪音、完全防护和屏蔽的测试环境,以及经过认证的安全联锁系统。