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AW-105R 技术指标：
● 晶圆尺寸：2“、3”、4“、5”、6“、6.125”、6.25”晶圆。
● 推荐工艺时间：每步0–300秒。根据客户需要可以实现更长时间工艺。
● 推荐工艺温度范围：典型工艺温度45°C–200°C；最高250°C。
● Chuck温度重复性：±2-±5°C。
● 工艺气体：O₂，N₂。最多可以3路MFC。
● 典型工艺与性能：
❖ 速率：部分剥离（30秒）时为1.5微米/分钟；
❖ 均匀性：±5%（最大值-最小值），边缘排除6毫米；
❖ 温度：250℃（±5℃）。
❖ 工艺参数与条件：压力：4.0托；功率：425瓦；气体流量：氧气1.75升；光刻胶类型：AZ1350J；厚度：1.5微米；烘烤温度：120℃。
性能规格：
● 速率：整体剥离时，200-250℃下为0.5-1.5微米/分钟；去胶时，100℃下为600埃/分钟。
● 去除均匀性：剥离：＜±8%（最大值-最小值）；去胶：＜±5%（最大值-最小值）。具体视客户工艺要求可以调整、优化。
● 温度控制：45℃-250℃。
● 工艺范围（适用于整体剥离应用）：压力：3.0-5.0托；功率：250-475瓦；流量：氧气1.0-2.5升
● 颗粒污染：粒径0.03微米及以上的颗粒：2个。
● 损伤指标:电容电压（CV）：＜0.1V from control;可动离子：<1-2E10；阈值电压（Vt）：98%的测试点总偏移量为0%，无偏移量超过5%的测试点。
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