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AW-303R 技术指标：
● 晶圆尺寸：2“、3”、4“、5”、6“、6.125”、6.25”晶圆。
● 推荐工艺时间：每步0–300秒。根据客户需要可以实现更长时间工艺。
● 推荐工艺温度范围：典型工艺温度20°C–120°C。
● Chuck温度重复性：±2-±5°C。
● 工艺气体：最多可以4路MFC，典型气体NF3,O2,He。具体视客户应用。
● 热氧化层刻蚀速率：＞2000埃/分钟，具体视客户应用。
● 低压压化学气相沉积氮化硅刻蚀速率：＞16000埃/分钟，具体视客户应用。
● 刻蚀均匀性：＜±3%~5%，具体视客户应用。
● 颗粒度：＜0.15个/平方厘米（0.3微米及以上），具体视客户应用。
● 损伤指标:电容电压（CV）：＜0.1V from control;可动离子：＜1-2E10;阈值电压（Vt）：98%的测试点总偏移量为0%，无偏移量超过5%的测试点。
● 选择性：＞10:1(Oxide:PR,SiN:Oxide)
● 平均无故障时间（MTBF）：小于450小时；平均维修响应时间（MTTA）：小于100小时；平均修复时间（MTTR）：小于3.5小时，具体视客户应用。
● 大于95%开机率（或“设备利用率”），具体视客户应用。
● 可以包括Allwin21自主开发的EOP功能。
● 可以包括GEM SECS网络功能，适合自动化生产场景。
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