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AccuSputter AW-4450 半自动立式批量水平磁控溅射薄膜设备
所属分类：
关键词：
溅射
工艺
射频
薄膜
产品详情
AccuSputter®AW4450 技术指标：
● 晶圆尺寸及产能：钼托盘-30个3”，13/14/22个4”,9/10个5”，7/8个6”，5个8”。
● 推荐工艺时间：3至30分钟。根据客户需要设定适合时间工艺。
● 工艺温度范围：没有样品温度控制，可以通过真空灯加热样品支撑板至300°C。
● Loadlock加热温度：没有样品温度控制，可以通过真空灯加热至200°C。
● 工艺气体：常用Ar，O₂，N₂，MFC带截止阀，适合各种应用场景。
● 300W至1500W 13.56 MHz风冷射频源,用于射频磁控/Diode溅射/预清洗、刻蚀。
● 6KW/10KW直流源或者5KW/10KW脉冲直流源，用于直流、脉冲直流磁控溅射。
● 工艺本体真空范围：5×10⁻⁷托，具体视客户现场动力条件。
● 溅射薄膜均匀度：±5%-±14%，具体与溅射方式、溅射材料、样品尺寸、样品数量、阴极尺寸、溅射菜单等有关。
● 溅射速度：25-480埃/分钟/千瓦，具体与溅射方式、溅射材料、样品尺寸、阴极尺寸、溅射菜单等有关。
● 平均无故障时间（MTBF）：小于450小时；平均维修响应时间（MTTA）：小于100小时；平均修复时间（MTTR）：小于8小时，具体视客户应用。
● 大于95%开机率（或“设备利用率”），具体视客户应用。
● 典型工艺参考：材料：铝-1%硅（Al-1%Si）；功率：9千瓦（kw）；工作台转速：10转/分钟（rpm）；氩气压力：8毫托（mTorr）；薄膜厚度：1.04微米（microns）；沉积时间：5.8分钟；台阶高度：1.10微米（microns）；台阶坡度：80°；台阶覆盖率：水平与垂直比62%；镜面反射率：65-75%；电阻率：2.85微欧・厘米（μΩ-cm）；晶粒尺寸：2微米（microns）。
● 典型溅射材料（金属、非金属）：Ag，Al Al2O3，Au，Cr，CrNx，CrSi2，Cu，Mo，MoSi2，Ni，Nichrome，Pd，Permalloy，Pt，Quartz，Si，Si3N4，Ta，TaNx，Ti，TiNx，Ti/W(10%)，W，WNx等。
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